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参数资料
| 型号： | PRTR5V0U4D,125 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD USB 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 击穿： | 6V |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
PRTR5V0U4D
Ultra low capacitance quadruple rail-to-rail ESD protection
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
? C
? C
? C
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per channel
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
8
kV
voltage
(contact discharge)
MIL-STD-883
-
8
kV
(human body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2 or 5.
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
Per channel
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 8 kV (contact)
> 8 kV
001aaa631
I PP
100 %
90 %
10 %
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
ESD pulse waveform according to IEC 61000-4-2
PRTR5V0U4D
Product data sheet
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Rev. 2 — 5 March 2012
? NXP B.V. 2012. All rights reserved.
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PDF描述 |
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