参数资料
型号: PS2561-1-A
厂商: CEL
文件页数: 10/19页
文件大小: 0K
描述: PHOTOCOUPLER 1CH TRANS 4-DIP
产品目录绘图: Photo Transistor Pin Out
其它图纸: Photo Transistor Circuit
标准包装: 100
系列: NEPOC
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5000Vrms
电流传输比(最小值): 80% @ 5mA
电流传输比(最大): 400% @ 5mA
输出电压: 80V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 80mA
Vce饱和(最大): 300mV
输出类型: 晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2754 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: PS2561-1A
PS2561-1,PS2561L-1,PS2561L1-1,PS2561L2-1
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 C, unless otherwise specified)
10
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
Data Sheet PN10234EJ04V0DS
相关PDF资料
PDF描述
G6B-1114P-US-DC12 RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V
0387801111 CB BTS Y 11 ASY
0387701114 CB BTS Y 14 ASY
0387700210 CB BTS BRS 10 ASY
G6B-1114P-US-DC5 RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 5V
相关代理商/技术参数
参数描述
PS2561-1-D-A 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi-Iso Photo 1-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
PS2561-1-H-A 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi-Iso Photo 1-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
PS2561-1-L 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Magazine
PS2561-1-L-A 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi-Iso Photo 1-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
PS2561-1-M-A 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Hi-Iso Photo 1-Ch RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk