参数资料
| 型号： | PS383CSE |
| 厂商： | Pericom |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 16SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation Notice 29/May/2007 |
| 标准包装： | 48 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 30 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 15 V，±3 V ~ 8 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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2
PS8186A
07/15/98
PS381/PS383/PS385
Precision, 17V Analog Switches
Absolute Maximum Ratings
Caution: Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only
rating and operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of this specification is not
implied.
Electrical Specifications - Dual Supplies
(V± = ± 5V ±10%, GND = 0V, V
INH = 2.4V, VINL = 0.8V)
Thermal Information
Continuous Power Dissipation (TA= +70
C)
Plastic DIP (derate 10.5mW/ C above +70C) . . . . . . 800mW
Narrow SO (derate 8.7mW/ C above +70C) . . . . . . . 650mW
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65C to +150C
Lead Temperature (soldering, 10s) . . . . . . . . . . . . . . .
+300C
Note 1: Signals on NC, NO, COM, or IN exceeding V+ or V-
are clamped by internal diodes. Limit forward diode current
to maximum current rating
Voltages Referenced to V-
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +17V
GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +17V
GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V+) +0.3V
VIN, VCOM, VNC, VNO (Note 1) . . . . (V-) -2V to (V+) +2V
or 30mA, whichever occurs first
Current (any terminal) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Peak Current, COM, NO, NC
(pulsed at 1ms, 10% duty cycle) . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
ESD per Method 3015.7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . >2000V
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