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参数资料
| 型号： | PSD834F4V-20 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals for 8-bit MCUs, 5V |
| 中文描述： | Flash在系统可编程（ISP）的周边8位MCU，5V的 |
| 文件页数： | 95/110页 |
| 文件大小： | 1737K |
| 代理商： | PSD834F4V-20 |
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PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
Table 62. Port A Peripheral Data Mode READ Timing (3V devices)
Figure 48. Peripheral I/O WRITE Timing
Table 63. Port A Peripheral Data Mode WRITE Timing (5V devices)
Note: 1. RD has the same timing as DS, LDS, UDS, and PSEN (in 8031 combined mode).
2. WR has the same timing as the E, LDS, UDS, WRL, and WRH signals.
3. Any input used to select Port A Data Peripheral mode.
4. Data is already stable on Port A.
5. Data stable on ADIO pins to data on Port A.
Symbol
Parameter
Conditions
-12
-15
-20
Turbo
Off
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVQV–PA
Address Valid to Data Valid
(Note
3
)
50
50
50
+ 20
ns
t
SLQV–PA
CSI Valid to Data Valid
37
45
50
+ 20
ns
t
RLQV–PA
RD to Data Valid
(Notes
1,4
)
37
40
45
ns
RD to Data Valid 8031 Mode
45
45
50
ns
t
DVQV–PA
Data In to Data Out Valid
38
40
45
ns
t
QXRH–PA
RD Data Hold Time
0
0
0
ns
t
RLRH–PA
RD Pulse Width
(Note
1
)
36
36
46
ns
t
RHQZ–PA
RD to Data High-Z
(Note
1
)
36
40
45
ns
Symbol
Parameter
Conditions
-70
-90
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
WLQV–PA
WR to Data Propagation Delay
(Note
2
)
25
35
40
ns
t
DVQV–PA
Data to Port A Data Propagation Delay
(Note
5
)
22
30
38
ns
t
WHQZ–PA
WR Invalid to Port A Tri-state
(Note
2
)
20
25
33
ns
tDVQV (PA)
tWLQV (PA)
tWHQZ (PA)
ADDRESS
DATA OUT
A/D BUS
WR
PORT A
DATA OUT
ALE/AS
AI02898
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PDF描述 |
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| PSD835G2-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90UI | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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