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参数资料
| 型号： | PSD835G2 |
| 英文描述： | 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads |
| 中文描述： | 可配置的存储系统级芯片的8位微控制器 |
| 文件页数： | 1/110页 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | PSD835G2 |
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PRELIMINARY DATA
January 2002
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
PSD835G2
Configurable Memory System on a Chip
for 8-Bit Microcontrollers
FEATURES SUMMARY
I
5 V±10% Single Supply Voltage:
I
Up to 4 Mbit of Primary Flash Memory (8
uniform sectors)
I
256Kbit Secondary Flash Memory (4 uniform
sectors)
I
Up to 64 Kbit SRAM
I
Over 3,000 Gates of PLD: DPLD and CPLD
I
52 Reconfigurable I/O ports
I
Enhanced JTAG Serial Port
I
Programmable power management
I
High Endurance:
– 100,000 Erase/Write Cycles of Flash Memory
– 1,000 Erase/Write Cycles of PLD
Figure 1. Packages
TQFP80 (U)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PSD835G2V | 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads. |
| PSD835G2-B-12B81 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835F2-B-12B81 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-C-12B81 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835F2-C-12B81 | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PSD835G2-70U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2-90UI | 功能描述:静态随机存取存储器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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