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参数资料
| 型号： | PSD835G2V |
| 英文描述： | 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads. |
| 中文描述： | 可配置的存储系统级芯片的8位微控制器 |
| 文件页数： | 10/110页 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | PSD835G2V |
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PSD835G2
PSD8XX Family
Pin*
(TQFP
Pin Name Pkg.)
PA0-PA7
Type
I/O
CMOS
or Open
Drain
Description
51-58
Port A, PA0-7. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port
2. CPLD Micro
Cell (MCell A0-7) output.
3. Latched, transparent or registered PLD input.
Port B, PB0-7. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port.
2. CPLD Micro
Cell (MCell B0-7) output.
3. Latched, transparent or registered PLD input.
Port C, PC0-7. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port.
2. External chip select (ECS0-7) output.
3. Latched, transparent or registered PLD input.
Port D pin PD0 can be configured as:
1. ALE or AS input — latches addresses on ADIO0-15 pins
2. AS input — latches addresses on ADIO0-15 pins on the
rising edge.
3. Input to the PLD.
4. Transparent PLD input.
Port D pin PD1 can be configured as:
1. MCU I/O
2. Input to the PLD.
3. CLKIN clock input — clock input to the CPLD
Micro
Cells, the APD power down counter and CPLD
AND Array.
Port D pin PD2 can be configured as:
1. MCU I/O
2. Input to the PLD.
3. CSI input — chip select input. When low, the CSI enables
the internal PSD memories and I/O. When high, the
internal memories are disabled to conserve power. CSI
trailing edge can get the part out of power-down mode.
PB0-PB7
61-68
I/O
CMOS
or Open
Drain
PC0-PC7 41-48
I/O
CMOS
or Slew
Rate
PD0
79
I/O
CMOS
or Open
Drain
PD1
80
I/O
CMOS
or Open
Drain
PD2
1
I/O
CMOS
or Open
Drain
PD3
2
I/O
Port D pin PD3 can be configured as:
1. MCU I/O
2. Input to the PLD.
CMOS
or Open
Drain
I/O
CMOS
or Open
Drain
PE0
71
Port E, PE0. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port.
2. Latched address output.
3. TMS input for JTAG/ISP interface.
Port E, PE1. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port.
2. Latched address output.
3. TCK input for JTAG/ISP interface (Schmidt Trigger).
Port E, PE2. This port is pin configurable and has multiple
functions:
1. MCU I/O — standard output or input port.
2. Latched address output.
3. TDI input for JTAG/ISP interface.
PE1
72
I/O
CMOS
or Open
Drain
PE2
73
I/O
CMOS
or Open
Drain
Table 5.
PSD835G2
Pin
Descriptions
(cont.)
9
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:静态随机存取存储器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| PSD853F2-70J | 功能描述:SPLD - 简单可编程逻辑器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 逻辑系列:TICPAL22V10Z 大电池数量:10 最大工作频率:66 MHz 延迟时间:25 ns 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V 电源电流:100 uA 最大工作温度:+ 75 C 最小工作温度:0 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DIP-24 |
| PSD853F2-70M | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| PSD853F2-90J | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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