型号: | PSMN085-150K |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN085-150K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
PSMN0R9-25YLC | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN102-200Y | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN130-200D | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN165-200K | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
PSMN1R0-30YLC | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
PSMN085-150K /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN085-150K,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN0R7-25YLDX | 功能描述:MOSFET N-CH 25V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):110.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8320pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):158W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.72 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK 标准包装:1 |
PSMN0R9-25YLC | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 25V 100A LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 25V, 100A, LFPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 25V, 100A, LFPAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain |
PSMN0R9-25YLC,115 | 功能描述:MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |