型号: | PSMN4R3-30PL |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN4R3-30PL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PSMN4R3-80ES | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PSMN4R3-30PL,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.3 mOhm Logic Level MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN4R3-30PL127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 100A 3-TO-220AB |
PSMN4R3-80ES | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 80V 120A SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 80V, 120A, SOT226 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 80V, 120A, SOT226, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain |
PSMN4R3-80ES,127 | 功能描述:MOSFET N-Ch 80V 4.3 mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN4R3-80PS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 80V 120A TO220AB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 80V, 120A, TO220AB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 80V, 120A, TO220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai |