型号: | PSMN5R0-80PS |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PSMN5R0-80PS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PSMN5R0-80PS,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 4.7 mOhm Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PSMN5R0-80PS127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 80V 100A 3-TO-220AB |
PSMN5R2-60YLX | 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39.4nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 |
PSMN5R3-25MLDX | 功能描述:PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):858pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):51W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 15A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 |
PSMN5R4-25YLDX | 功能描述:PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):858pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.69 毫欧 @ 15A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 |