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参数资料
| 型号： | PT480E00000F |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO TRANS CLEAR LEN 800NM SIDE |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100µA |
| 波长： | 800nm |
| 视角： | 70° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 425-2379-5 |
PT480E00000F
■ Presence of ODCs (RoHS Compliance)
This product shall not contain the following materials, and they are not used in the production process for this
product:
? Regulated substances: CFCs, Halon, Carbon tetrachloride, 1,1,1-Trichloroethane (Methylchloroform). Specific
brominated flame retardants such as the PBBOs and PBBs are not used in this product at all.
This product shall not contain the following materials banned in the RoHS Directive (2002/95/EC).
? Lead, Mercury, Cadmium, Hexavalent chromium, Polybrominated biphenyls (PBB), Polybrominated diphenyl
ethers (PBDE).
? Content information about the six substances specified in “Management Methods for Control of Pollution
Caused by Electronic Information Products Regulation” (Chinese: )
Toxic and Hazdardous Substances
Category
Lead (Pb) mercury (Hg) Cadmium (Cd)
Hexavalent
chromiun (Cr 6+ )
Polybrominated
biphenyls (PBB)
Polybrominated
diphenyl ethers
(PBDE)
Infrared Emitting Diode
?
?
?
?
?
?
NOTE: ? indicates that the content of the toxic and hazardous substance in all the homogeneous materials of the part is below the concentration limit requirement
as described in SJ/T 11363-2006 standard.
Sheet No.: D1-A01901EN
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT480FE0000F | PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE |
| PT481E00000F | PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE |
| PT481FE0000F | PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE |
| PT502J2 | THERMISTOR 5K OHM +/-0.20 C |
| PT503J2 | THERMISTOR 50K OHM +/-0.20 C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT480F | 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| PT480FE0000F | 功能描述:光电晶体管 PT480 w/ Visible lite cut-off 860nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT480FE000F5 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Opto,Photo tr.,860nm,+/-13deg.side view |
| PT481 | 功能描述:PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| PT4810 | 功能描述:PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
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