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参数资料
| 型号： | PT4810F |
| 厂商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Thin Type Phototransistor |
| 中文描述： | 薄型光电晶体管 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PT4810F |
PT4800/PT4800F/PT4810/PT4810F/PT4850F
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
(
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
C
C
0
1
2
3
4
5
6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
C
C
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Wavelength
λ
(nm)
R
400
500
600
700
800
900
0
20
40
60
80
100
PT4800
PT4810 PT4800F
PT4801F
PT4850F
1
10
0.1
0.2
0.5
2
5
10
1
2
5
20
50
100
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
)
(PT4800)
T
a
= 25C
(PT4800F/PT4850F )
(PT4810)
(PT4810F)
R
r
,
f
μ
s
Fig. 5-a Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
0.1mW/cm
2
Fig. 5-b Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
Fig. 5-c Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
Fig. 6 Spectral Sensitivity
Fig. 5-d Collector Current vs.
Collector-emitter Voltage
E
e
= 1.0mW/cm
2
0.75mW/cm
2
0.5mW/cm
2
0.25mW/cm
2
T
a
= 25C
E
e
= 3mW/cm
2
2.5mW/cm
2
2.0mW/cm
2
1.5mW/cm
2
1.0mW/cm
2
0.8mW/cm
2
0.6mW/cm
2
T
a
= 25C
E
e
= 0.2mW/cm
2
0.15mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.08mW/cm
2
0.06mW/cm
2
0.04mW/cm
2
0.02mW/cm
2
T
a
= 25C
E
e
= 0.2mW/cm
2
0.15mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.08mW/cm
2
0.06mW/cm
2
0.04mW/cm
2
0.02mW/cm
2
T
a
= 25C
1100
1000
V
CE
= 2V
I
C
= 2mA
T
a
= 25C
t
f
t
r
t
r
t
f
PT4800/PT4800F/PT4850F
(
Fig. 7-a Response Time vs. Load Resistance
Load resistance R
L
(k
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT4850F | Thin Type Phototransistor |
| PT481 | Narrow Acceptance High Sensitivity Phototransistor |
| PT483F1 | Narrow Acceptance High Sensitivity Phototransistor |
| PT481F | Narrow Acceptance High Sensitivity Phototransistor |
| PT4822 | "3.3V/1.8V/1.5V 12A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT4810FE000F | 功能描述:光电晶体管 PT4810 w/ Visible lite cut-off 860nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT481E00000F | 功能描述:光电晶体管 Darlington output Ver of PT480 25mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT481F | 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| PT481FE0000F | 功能描述:光电晶体管 PT481 w/ Visible lite cut-off 860nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT4820 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:35-W Triple Output Isolated DC/DC Converter for Logic Applications |
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