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参数资料
| 型号： | PT481E00000F |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO TRANS BLUE LEN 800NM SIDE |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 1mA |
| 波长： | 800nm |
| 视角： | 70° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 425-2382-5 |
PT481E00000F
■ Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature *1
Symbol
V CEO
V ECO
I C
P C
Topr
Tstg
Tsol
Rating
35
6
50
75
-25 to +85
-40 to +85
260
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
*
1 5 s (MAX.) no closer than 1.4 mm from resin edge.
■ Electro-optical Charactertistics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector current
Dark current
Symbol
I C
I CEO
Conditions *1
Ee = 0.1 mW/cm 2 , V CE = 2 V
Ee = 0, V CE = 10 V
MIN.
1.5
–
TYP.
10
1.0
MAX.
25
1000
Unit
mA
nA
Collector-emitter saturation voltage
V CE (sat)
Ee = 1
mW/cm 2 ,
Ic = 2.5 mA
–
0.7
1.0
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-collector breakdown voltage
Peak sensitivity wavelength
Response time (Rise)
Response time (Fall)
BV CEO
BV ECO
λ p
tr
tf
I C = 0.1 mA, Ee = 0
I E = 0.01 mA, Ee = 0
–
V CE = 2 V, I C = 10 mA,
R L = 100 Ω
35
6
–
–
–
–
–
800
80
70
–
–
–
–
–
V
V
nm
μs
μs
*
1 Ee: Irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
8 0
75
70
60
50
40
30
20
15
Fig. 2 Spectral Sensitivity (TYP.)
Ta = 25°C
100
90
8 0
70
60
50
40
30
20
10
10
0
400
500
600
700
8 00
900
1000
1100
0
-25
0
25
50
75 8 5
100
W a v elength λ (nm)
Am b ient temperat u re Ta (°C)
Sheet No.: D1-A01301EN
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT481FE0000F | PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE |
| PT502J2 | THERMISTOR 5K OHM +/-0.20 C |
| PT503J2 | THERMISTOR 50K OHM +/-0.20 C |
| PT534-6B | PHOTOTRANSISTOR 5MM BLACK RAD |
| PT5529B/L2-F | PHOTOTRANSISTOR SIDE BLACK RAD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT481F | 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| PT481FE0000F | 功能描述:光电晶体管 PT481 w/ Visible lite cut-off 860nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT4820 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:35-W Triple Output Isolated DC/DC Converter for Logic Applications |
| PT4821 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:35-W Triple Output Isolated DC/DC Converter for Logic Applications |
| PT4821A | 功能描述:直流/直流开关转换器 3.3/2.5/1.5V 12A 48V Inpt Iso DC/DC Cnvtr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
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