参数资料
| 型号： | PTVS10VS1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 10V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 10V |
| 电压 - 击穿： | 11.1V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS10VS1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
+
? I RM
? I R
V
P-N
? I PP
? I PPM
006aab324
Fig 4.
V-I characteristics for a unidirectional TVS protection diode
8. Test information
8.1 Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors , and is
suitable for use in automotive applications.
9. Package outline
1.9
1.5
1
0.6
0.3
1.1
0.9
3.7
3.3
2.8
2.4
2
Dimensions in mm
1.05
0.75
0.22
0.10
08-11-06
Fig 5.
Package outline SOD123W
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68491-272HLF | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
| 93690-103-72 | HDR STR DR. 100 DP PF |
| 93689-103-36 | HDR STR SR. 100 DP PF |
| 7064-50B2TH | CONN HEADER 64POS R/A DIN |
| 3429-5202 | CONN 26 HDR, RT, W/LATCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS10VU1UPAZ | 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.6A 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN2020-3 基本零件编号:PTVS10V 标准包装:1 |
| PTVS10VZ1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 10VWM 18.2VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:12.5A 功率 - 峰值脉冲:220W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:500pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS11VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 11V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 11V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 11V, 600W, SOD128, TVS Polarity:Unidirectional, Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:11V, Breakdown Voltage Min:12.2V, Breakdown Voltage Max:13.5V, Clamping Voltage Vc Max:18.2V, Peak Pulse Current Ippm:33A, No. of Pins:2 , RoHS Compliant: Yes |
| PTVS11VP1UP,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 12.85V 33A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS11VP1UTP,115 | 功能描述:TVS DIODE 11VWM FLATPOWER 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:11V 电压 - 击穿（最小值）:12.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 185°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:CFP5 标准包装:1 |
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