参数资料
| 型号： | PTVS14VS1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 14V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 14V |
| 电压 - 击穿： | 15.6V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS14VS1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
150
I PP
(%)
100
100 % I PP ; 10 μ s
006aab319
1.2
P PPM
P PPM(25°C)
0.8
006aac765
50 % I PP ; 1000 μ s
50
0
0.4
0.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
50
100
150
200
t p (ms)
T j (°C)
Fig 1.
10/1000 ? s pulse waveform according to
IEC 61643-321
Fig 2.
Relative variation of rated peak pulse power as
a function of junction temperature; typical
values
10 5
P PPM
(W)
10 4
10 3
(1)
(2)
006aab418
10 2
10 ? 1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
T amb = 25 ? C
(1) PTVS5V0S1UTR to PTVS64VS1UTR
(2) PTVS3V3S1UTR
Fig 3.
Rated peak pulse power as a function of pulse duration; typical values
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTVS13VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 13V SOD123W |
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| ISL28166FHZ-T7 | IC OPAMP RRIO SGL 39UA SOT23-6 |
| PTVS11VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 11V SOD123W |
| 75844-318-06 | HDR STR DR .100 TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PTVS15-076C-SH | 制造商:Bourns Inc 功能描述:DIODE TVS HIGH CURRENT SINGLE BI-DIR 15KA 76V SMD - Bulk 制造商:Bourns Inc 功能描述:TVS DIODES 76VWM 95VC |
| PTVS15-076C-SM | 制造商:Bourns Inc 功能描述:PTVS 15kA 58V SMT |
| PTVS15-076C-TH | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 15KA 76V BI Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS15VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 15V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 15V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 15V, 600W, SOD128, TVS Polarity:Unidirectional, Reverse Stand-O |
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