参数资料
| 型号： | PTVS18VS1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 18V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 18V |
| 电压 - 击穿： | 20V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS18VS1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
Table 10. Characteristics per type; PTVS7V5S1UTR to PTVS64VS1UTR
T j = 25 ? C unless otherwise specified.
Type
number
PTVSxxx
Reverse
standoff
voltage
Breakdown voltage
V BR (V)
Reverse leakage current
I RM ( ? A)
Clamping
voltage V CL (V)
Temperature
coefficient
S Z (mV/K)
S1UTR
V RWM (V)
I R = 1 mA
at V RWM
at V RWM
T j = 150 ? C
I Z = 5 mA
Max
Min
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
I PPM (A) Typ
7V5
8V0
8V5
9V0
10V
11V
12V
13V
14V
15V
16V
17V
18V
20V
22V
24V
26V
28V
30V
33V
36V
40V
43V
45V
48V
51V
54V
58V
60V
64V
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
8.33
8.89
9.44
10.00
11.10
12.20
13.30
14.40
15.60
16.70
17.80
18.90
20.00
22.20
24.40
26.70
28.90
31.10
33.30
36.70
40.00
44.40
47.80
50.00
53.30
56.70
60.00
64.40
66.70
71.10
8.77
9.36
9.92
10.55
11.70
12.85
14.00
15.15
16.40
17.60
18.75
19.90
21.00
23.35
25.60
28.10
30.40
32.80
35.10
38.70
42.10
46.80
50.30
52.65
56.10
59.70
63.15
67.80
70.20
74.85
9.21
9.83
10.40
11.10
12.30
13.50
14.70
15.90
17.20
18.50
19.70
20.90
22.10
24.50
26.90
29.50
31.90
34.40
36.80
40.60
44.20
49.10
52.80
55.30
58.90
62.70
66.30
71.20
73.70
78.60
0.2
0.03
0.01
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
0.001
50
25
10
5
2.5
2.5
2.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
2
2
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103.0
31.0
29.4
27.8
26.0
23.5
22.0
20.1
18.6
17.2
16.4
15.4
14.5
13.7
12.3
11.3
10.3
9.5
8.8
8.3
7.5
6.9
6.2
5.8
5.5
5.2
4.9
4.6
4.3
4.1
3.9
5.0
5.5
6.5
7.1
8.1
9.2
10.3
11.4
13.2
14.1
15.9
16.4
18.5
20.0
23.8
24.9
29.1
30.6
34.4
37.5
42.3
48.1
51.6
55.2
58.2
62.5
66.1
71.4
74.1
80.0
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTVS17VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 17V SOD123W |
| 155206-5202-RB | CONN HEADER 2MM 6POS R/A .112" |
| 77313-885-30LF | CONN HEADER 30POS VERT .100 15AU |
| 98423-G61-12LF | CONN HEADER 24POS 2MM R/A DL PCB |
| NCV33272ADR2G | IC OPAMP DUAL HS BIPO 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS18VU1UPAZ | 功能描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:29.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10.3A 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN2020-3 基本零件编号:PTVS18V 标准包装:1 |
| PTVS18VZ1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.8VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脉冲:210W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:290pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS20VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 20V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:20V; Breakdown Voltage Min:22.2V; Breakdown Voltage Max:24.5V; Clamping Voltage Vc Max:32.4V; Peak Pulse Current Ippm:18.5A ;RoHS Compliant: Yes |
| PTVS20VP1UP,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 23.35V 18.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS20VP1UTP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 20V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:20V; Breakdown Voltage Min:22.2V; Breakdown Voltage Max:24.5V; Clamping Voltage Vc Max:32.4V; Peak Pulse Current Ippm:18.5A ;RoHS Compliant: Yes |
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