参数资料
| 型号： | PTVS26VS1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 26V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 26V |
| 电压 - 击穿： | 28.9V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS26VS1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PPM
I PPM
Parameter
rated peak pulse power
rated peak pulse current
Conditions
[1][2]
Min
-
-
Max
400
see
Unit
W
and 10
I FSM
non-repetitive peak forward single half-sine
-
50
A
current
wave; t p = 8.3 ms
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
185
+185
+185
? C
? C
? C
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 ? s current waveform).
For PTVS3V3S1UTR: P PPM = 350 W
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2; level 4
-
30
kV
voltage
(contact discharge)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ElectroStatic Discharge (ESD) pulses.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC33204VDR2G | IC OPAMP QUAD R-R LO VOLT 14SOIC |
| PTVS24VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 24V SOD123W |
| 86094647113755BCLF | DIN RA HEADER F |
| PTVS22VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 22V SOD123W |
| PTVS20VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 20V SOD123W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS26VU1UPAZ | 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.1VC 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:26V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7A 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN2020-3 基本零件编号:PTVS26V 标准包装:1 |
| PTVS26VZ1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 32VWM 46VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:26V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:46V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.5A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:215pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS28VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS UNI 28V 600W SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 28V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 28V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:28V; Breakdown Voltage Min:31.1V; Breakdown Voltage Max:34.4V; Clamping Voltage Vc Max:45.4V; Peak Pulse Current Ippm:13.2A ;RoHS Compliant: Yes |
| PTVS28VP1UP,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 32.8V 13.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS28VP1UTP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 28V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 28V, 600W, SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:28V; Breakdown Voltage Min:31.1V; Breakdown Voltage Max:34.4V; Clamping Voltage Vc Max:45.4V; Peak Pulse Current Ippm:13.2A ;RoHS Compliant: Yes |
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