参数资料
| 型号： | PTVS48VS1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 48V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 48V |
| 电压 - 击穿： | 53.3V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS48VS1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PPM
I PPM
Parameter
rated peak pulse power
rated peak pulse current
Conditions
[1][2]
Min
-
-
Max
400
see
Unit
W
and 10
I FSM
non-repetitive peak forward single half-sine
-
50
A
current
wave; t p = 8.3 ms
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
185
+185
+185
? C
? C
? C
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 ? s current waveform).
For PTVS3V3S1UTR: P PPM = 350 W
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2; level 4
-
30
kV
voltage
(contact discharge)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ElectroStatic Discharge (ESD) pulses.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTVS45VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 45V SOD123W |
| XC5B-3231-0 | CONNECTR 32POS STRAIGHT TERM DIN |
| PTVS43VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 43V SOD123W |
| PTVS40VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 40V SOD123W |
| 77311-127-04 | HDR STR SR .100 DP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS4V5D1BLYL | 功能描述:TVS DIODE 13.2VC 34A 2-DFN1006 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:4.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:34A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:65pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:2-DFN1006（1x0.6） 标准包装:1 |
| PTVS51VP1UP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 51V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 51V, 600W, SOD128, TVS Polarity:Unidirectional, Reverse Stand-O |
| PTVS51VP1UP,115 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 59.7V 7.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| PTVS51VP1UTP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 51V, 600W, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, UNI, 51V, 600W, SOD128, TVS Polarity:Unidirectional, Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:51V, Breakdown Voltage Min:56.7V, Breakdown Voltage Max:62.7V, Clamping Voltage Vc Max:82.4V, Peak Pulse Current Ippm:7.3A, No. of Pins:2, RoHS Compliant: Yes |
| PTVS51VP1UTP,115 | 功能描述:TVS DIODE 51VWM FLATPOWER 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:51V 电压 - 击穿（最小值）:56.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 185°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:CFP5 标准包装:1 |
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