参数资料
| 型号： | PTVS5V0S1UTR,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIR 400W 5V SOD123W |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 6.4V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123W |
| 供应商设备封装： | SOD123W |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PTVS5V0S1UTR115 |
NXP Semiconductors
PTVSxS1UTR series
High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
P PPM
I PPM
Parameter
rated peak pulse power
rated peak pulse current
Conditions
[1][2]
Min
-
-
Max
400
see
Unit
W
and 10
I FSM
non-repetitive peak forward single half-sine
-
50
A
current
wave; t p = 8.3 ms
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
185
+185
+185
? C
? C
? C
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 ? s current waveform).
For PTVS3V3S1UTR: P PPM = 350 W
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2; level 4
-
30
kV
voltage
(contact discharge)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ElectroStatic Discharge (ESD) pulses.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
PTVSXS1UTR_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 11 October 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 8609360C815755E1LF | DIN STRAIGHT HEADER F |
| PTVS58VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 58V SOD123W |
| PTVS54VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 54V SOD123W |
| PTVS51VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 51V SOD123W |
| PTVS48VS1UTR,115 | TVS UNIDIR 400W 48V SOD123W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PTVS5V0Z1USKYL | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12VC DSN1608-2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:1200pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603（1608 公制） 供应商器件封装:DSN1608-2 标准包装:1 |
| PTVS6 | 制造商:BOURNS 制造商全称:Bourns Electronic Solutions 功能描述:PTVS6-xxxC Series High Current TVS Diodes |
| PTVS6-058C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TVS DIODE 58VWM 110VC 制造商:Bourns Inc 功能描述:6kA 380V Bidirectional PowerTVS Diode |
| PTVS6-076C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TVS DIODE 76VWM 140VC 制造商:Bourns Inc 功能描述:6kA 380V Bidirectional PowerTVS Diode |
| PTVS6-076C-SP1 | 制造商:Bourns Inc 功能描述:3kA 58V Bidirectional PowerTVS Diode |
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