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参数资料
| 型号： | PUMH16 |
| 英文描述： | 15NS, PLCC, COM TEMP(EPLD) |
| 中文描述： | 15NS, PLCC, COM TEMP(EPLD) |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | PUMH16 |
2003 Oct 16
4
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = open
PUMH14
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB =50V; IE =0
100
nA
ICEO
collector-emitter cut-off current
VCE =30V; IB =0
1
A
VCE =30V; IB = 0; Tj = 150°C
50
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =5V; IC =0
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =5V; IC = 1 mA
100
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
150
mV
R1
input resistor
33
47
61
k
Cc
collector capacitance
VCB =10V; IE =ie = 0; f = 1 MHz
2.5
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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