参数资料
型号: PUMH18
英文描述: 15NS, PDIP, COM TEMPR(EPLD)
中文描述: R1 \u003d 4.7千欧。 R2的\u003d 10千欧
文件页数: 2/7页
文件大小: 51K
代理商: PUMH18
2003 Oct 16
2
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = open
PUMH14
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATION
Low current peripheral driver
Replacement of general purpose transistors in digital
applications
Control of IC inputs.
DESCRIPTION
NPN/NPN resistor-equipped transistors (see “Simplified
outline, symbol and pinning” for package details).
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
UNIT
VCEO
collector-emitter
voltage
50
V
IO
output current (DC)
100
mA
TR1
NPN
TR2
NPN
R1
bias resistor
47
k
R2
open
PRODUCT OVERVIEW
Note
1. * = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE(1)
NPN/PNP
COMPLEMENT
NPN/NPN
COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PUMH14
SOT363
SC-88
H1*
SIMPLIFIED OUTLINE, SYMBOL AND PINNING
TYPE NUMBER
SIMPLIFIED OUTLINE AND SYMBOL
PINNING
PIN
DESCRIPTION
PUMH14
1
emitter TR1
2
base TR1
3
collector TR2
4
emitter TR2
5
base TR2
6
collector TR1
handbook, halfpage
MAM479
12
3
4
6
5
Top view
65
4
12
3
TR1
TR2
R1
相关PDF资料
PDF描述
PUMH19 15NS, SOIC, IND TEMP(EPLD)
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PUMP9L PERISTALSIS PUMPE
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相关代理商/技术参数
参数描述
PUMH18 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH18,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH18115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PUMH19 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363
PUMH19 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel