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参数资料
| 型号： | PUMH19 |
| 英文描述： | 15NS, SOIC, IND TEMP(EPLD) |
| 中文描述： | R1 \u003d 22千欧。 R2的\u003d开放 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | PUMH19 |
2003 Oct 16
4
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = open
PUMH14
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB =50V; IE =0
100
nA
ICEO
collector-emitter cut-off current
VCE =30V; IB =0
1
A
VCE =30V; IB = 0; Tj = 150°C
50
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =5V; IC =0
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =5V; IC = 1 mA
100
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
150
mV
R1
input resistor
33
47
61
k
Cc
collector capacitance
VCB =10V; IE =ie = 0; f = 1 MHz
2.5
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PUMH20 | 20NS, PLCC, COM TEMP(EPLD) |
| PUMH24 | 20NS, PLCC, IND TEMP, GREEN(EPLD) |
| PUMP9L | PERISTALSIS PUMPE |
| PV-TBF14-5PS | 5 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
| PV-TBF16-23PS | 23 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PUMH19 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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| PUMH19115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PUMH2 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N/N Transistor,47k,47k,SOT-363 |
| PUMH2 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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