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参数资料
| 型号： | PUMH24 |
| 英文描述： | 20NS, PLCC, IND TEMP, GREEN(EPLD) |
| 中文描述： | 20ns,PLCC,工业温度,绿色（EPLD） |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | PUMH24 |
2003 Oct 16
5
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
PUMH20
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT363
SC-88
wB
M
bp
D
e1
e
pin 1
index
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
v M A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
c
X
13
2
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT363
UNIT
A1
max
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qy
w
v
mm
0.1
0.30
0.20
2.2
1.8
0.25
0.10
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.2
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.25
0.15
A
1.1
0.8
97-02-28
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PUMP9L | PERISTALSIS PUMPE |
| PV-TBF14-5PS | 5 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
| PV-TBF16-23PS | 23 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
| PV-TBF16-26PS | 26 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
| PV-TBF16-8PS | 8 CONTACT(S), MALE-FEMALE, CIRCULAR ADAPTER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PUMH24 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH24,115 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH30 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN/NPN double resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = open |
| PUMH30 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH30,115 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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