参数资料
型号: PXTA64
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: PNP Darlington transistor
中文描述: 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 5/8页
文件大小: 51K
代理商: PXTA64
1997 Apr 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistor
PXTA64
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT89
97-02-28
w
M
e
1
e
E
HE
B
0
2
4 mm
scale
b3
b2
b1
c
D
L
A
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 3 leads
SOT89
1
2
3
UNIT
A
mm
1.6
1.4
0.48
0.35
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
HE
4.25
3.75
e
3.0
w
0.13
e1
1.5
L
min.
0.8
b2
b1
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
相关PDF资料
PDF描述
PXTA77 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-89
PXTA93 PNP high-voltage transistor
PY30777 KODAK ADVANTIX F350 CAMERA
PY30892 OLYMPUS IZOOM 2000 APSCAMERA
PYC36SACN-M JT 6C 6#22D SKT WALL RECP
相关代理商/技术参数
参数描述
PXTA77 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-89
PXTA92 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP high-voltage transistor
PXTA92 T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PXTA92,115 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PXTA92115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: