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参数资料
| 型号： | PZ1418B15U |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor(NPN微波功率晶体管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CERAMIC, SOT-443A, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | PZ1418B15U |
1997 Feb 19
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
PZ1418B15U
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZ1721B12U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-57C |
| PZ2024B10U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-57C |
| PZ3032-8BC-S | Electrically-Erasable Complex PLD |
| PZ3032CS10A44 | Electrically-Erasable Complex PLD |
| PZ3032-CS10A44 | IC-SM-CMOS PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PZ1418B30U | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistors |
| PZ1418B30U,114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Single NPN 4A 45W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZ15CHEWS | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| PZ15CHEWS_A0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| PZ15CHEWS_A0_10001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
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