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参数资料
| 型号： | Q2004F326 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 V, 4 A, TRIAC, TO-202AB |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 1683K |
| 代理商： | Q2004F326 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q7008R565V | 700 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB |
| Q7010R554V | 700 V, 10 A, TRIAC, TO-220AB |
| Q7010R556V | 700 V, 10 A, TRIAC, TO-220AB |
| Q7010R568V | 700 V, 10 A, TRIAC, TO-220AB |
| Q7015R556V | 700 V, 15 A, TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q2004F341 | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 10-10-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2004F41 | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2004F411 | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2004F42 | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2004F441 | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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