| 型号: | Q2004V4 |
| 元件分类: | 晶闸管 |
| 英文描述: | 200 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251 |
| 封装: | VPAK-3 |
| 文件页数: | 1/10页 |
| 文件大小: | 155K |
| 代理商: | Q2004V4 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q2006N4 | 200 V, 6 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-263AB |
| Q2008N4 | 200 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-263AB |
| Q6N3 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| Q6N4 | 600 V, 1 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
| Q6X3 | 600 V, 0.8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q2004V4TP | 功能描述:双向可控硅 200V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2006 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|6A I(T)RMS|TO-8 |
| Q20064 | 制造商:Yageo Corporation 功能描述:KIT RESIS 3 EACH 100-2.0K 96PCS |
| Q2006DH3 | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2006DH3RP | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |