型号: | Q2006DH3RP |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 200 V, 6 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
封装: | DPAK-3 |
文件页数: | 10/10页 |
文件大小: | 237K |
代理商: | Q2006DH3RP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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Q2006DH3TP | 200 V, 6 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
Q8016LH6TPV | 800 V, 16 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
Q8008LH4TPV | 800 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
Q8008LH4TP | 800 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
Q8008NH4RP | 800 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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Q2006DH3TP | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q2006DH4 | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q2006DH4RP | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q2006DH4TP | 功能描述:双向可控硅 200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q2006F41 | 功能描述:双向可控硅 200V 6A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |