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参数资料
| 型号： | Q2008DH3RP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | Q2008DH3RP |
Data Sheets
Alternistor Triacs
2004 Littelfuse, Inc.
E4 - 9
http://www.littelfuse.com
Thyristor Product Catalog
+1 972-580-7777
Figure E4.13 Power Dissipation (Typical) versus On-state Current
(6 A to 12 A)
Figure E4.14 Power Dissipation (Typical) versus On-state Current
(16 A)
Figure E4.15 Power Dissipation (Typical) versus On-state Current
(25 A to 40 A)
Figure E4.16 Maximum Allowable Ambient Temperature versus
On-state Current
0123456789
10 11 12 13 14 15 16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
RMS On-state Current [l
T(RMS)] – AmpsS
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
6A to 12A Devices
02
46
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D
(AV)
]–
Watts
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
16A Devices
012
20
28
36
4
16
24
32
40
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
RMS On-State Current [IT(RMS)]—Amps
Average
On-State
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]—Watts
25 A
40 A
Current Waveform: Sinusoidal
Load: Resistive or Inductive
Conduction Angle: 360
30 A and
35 A Devices
120
100
80
60
40
25
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TO-220 Devices
RMS On-state Current [IT (RMS)] – Amps
Maximum
Allowable
Ambient
Temperature
(T
A
)–
C
CURRENT WAVEFORM: Sinusoidal
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 360
FREE AIR RATING – NO HEATSINK
TO-251 Devices
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q2008DH3TP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| Q2008DH4RP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| Q2008DH4TP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| Q2008LH4TPV | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q2008LH4TP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q2008DH3TP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008DH4 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008DH4RP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008DH4TP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008F41 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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