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参数资料
| 型号： | Q2008DH3TP |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | Q2008DH3TP |
Notes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q2008DH4RP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| Q2008DH4TP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA |
| Q2008LH4TPV | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q2008LH4TP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q2008NH4RP | 200 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q2008DH4 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008DH4RP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008DH4TP | 功能描述:双向可控硅 200V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008F41 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q2008F443 | 功能描述:双向可控硅 200V 8A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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