型号: | Q6004D4 |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
封装: | DPAK-3 |
文件页数: | 2/10页 |
文件大小: | 155K |
代理商: | Q6004D4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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Q6004V3 | 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-251 |
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Q6006N5 | 600 V, 6 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-263AB |
Q6008N5 | 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-263AB |
Q8004D4 | 800 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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Q6004D4RP | 功能描述:双向可控硅 600V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q6004D4TP | 功能描述:双向可控硅 600V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q6004F31 | 功能描述:双向可控硅 600V 4A 10-10-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q6004F32 | 功能描述:双向可控硅 600V 4A 10-10-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
Q6004F321 | 功能描述:双向可控硅 600V 4A 10-10-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |