参数资料
型号: Q8006D556
元件分类: 晶闸管
英文描述: 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252AA
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件页数: 9/14页
文件大小: 289K
代理商: Q8006D556
64
Revised: July 9, 2008
2008 Littelfuse, Inc.
Teccor brand Thyristors
Specications are subject to change without notice.
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6 Amp Sensitive, Standard & Alternistor (High Commutation) Triacs
Lxx06xx & Qxx06xx & Qxx06xHx Series
Static Characteristics
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
V
TM
I
TM = 11.3A tp = 380 μs
MAX.
1.60
V
I
DRM / IRRM
V
DRM = VRRM
Lxx06xy
T
J = 25°C
400 - 600V
MAX.
20
μA
T
J = 110°C
400 - 600V
0.5
mA
Qxx06xy
T
J = 25°C
400 - 1000V
50
μA
T
J = 125°C
400 - 800V
2
mA
T
J = 100°C
1000V
3
Qxx06xHy
T
J = 25°C
400 - 800V
10
μA
1000V
20
T
J = 125°C
400 - 800V
3
mA
T
J = 100°C
1000V
2
Thermal Resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
(J-C)
Junction to case (AC)
L/Qxx06Ryy / L/Qxx06Nyy
1.8
°C/W
L/Qxx06Lyy
3.3
L/Qxx06Vyy / L/Qxx06Dyy
3.2
R
(J-A)
Junction to ambient
L/Qxx06Ryy
45
°C/W
L/Qxx06Lyy
50
L/Qxx06Vyy
70
Note: xx = voltage, x = package, y = sensitivity, yy = type & sensitivity
Figure 1: Denition of Quadrants
Figure 2: Normalized DC Gate Trigger Current for
All Quadrants vs. Junction Temperature
Junction Temperature (T
J)- °C
-65
-40
-15
10
35
60
85
110
125
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
Ratio
of
I GT
(T
J
=
2
5
°C)
Note: Alternistors will not operate in QIV
MT2 POSITIVE
(Positive Half Cycle)
MT2 NEGATIVE
(Negative Half Cycle)
NOTE: Alternistors will not operate in QIV
MT1
MT2
+ I
GT
REF
QII
MT1
I
GT
GATE
MT2
REF
MT1
MT2
REF
MT1
MT2
REF
QI
QIV
QIII
ALL POLARITIES ARE REFERENCED TO MT1
(
-)
I
GT
GATE
(+)
I
GT -
I
GT
GATE
(
-)
I
GT
GATE
(+)
+
-
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PDF描述
Q8006DH356 ALTERNISTOR TRIAC, TO-252AA
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Q8006DH3 功能描述:双向可控硅 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8006DH4 功能描述:双向可控硅 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8006DH4RP 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8006DH4TP 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8006L5 功能描述:双向可控硅 800V 6A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB