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参数资料
型号： Q8008VH3
元件分类： 晶闸管
英文描述： 800 V, 8 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-251
封装： VPAK-3
文件页数： 4/9页
文件大小： 110K
代理商： Q8008VH3
Alternistor Triacs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E4 - 4
2004 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
See “General Notes” and “Electrical Specification Notes” on page E4 - 5.
Test Conditions
di/dt — Maximum rate-of-change of on-state current
dv/dt — Critical rate-of-rise of off-state voltage at rated VDRM gate open
dv/dt(c) — Critical rate-of-rise of commutation voltage at rated VDRM
and IT(RMS) commutating di/dt = 0.54 rated IT(RMS)/ms; gate
unenergized
I2t — RMS surge (non-repetitive) on-state current for period of 8.3 ms
for fusing
IDRM — Peak off-state current gate open; VDRM = maximum rated value
IGT — DC gate trigger current in specific operating quadrants;
VD = 12 V dc
IGTM — Peak gate trigger current
IH — Holding current (DC); gate open
IT(RMS) — RMS on-state current conduction angle of 360°
ITSM — Peak one-cycle surge
PG(AV) — Average gate power dissipation
PGM — Peak gate power dissipation; IGT ≤ IGTM
tgt — Gate controlled turn-on time; IGT = 300 mA with 0.1 s rise time
VDRM — Repetitive peak blocking voltage
VGT — DC gate trigger voltage; VD = 12 V dc
VTM — Peak on-state voltage at maximum rated RMS current
IT(RMS)
Part Number
VDRM
IGT
Isolated
Non-isolated
(4)(16)
T0-220
TO-218
(16)
TO-218X
TO-220
TO-263
D2Pak
(1)
Volts
(3) (7) (15) (17)
mAmps
QI
QII
QIII
MAX
See “Package Dimensions” section for variations. (11)
MAX
16 A
Q2016LH3
Q2016RH3
Q2016NH3
200
20
Q4016LH3
Q4016RH3
Q4016NH3
400
20
Q6016LH3
Q6016RH3
Q6016NH3
600
20
Q8016LH3
Q8016RH3
Q8016NH3
800
20
QK016LH3
QK016RH3
QK016NH3
1000
20
Q2016LH4
Q2016RH4
Q2016NH4
200
35
Q4016LH4
Q4016RH4
Q4016NH4
400
35
Q6016LH4
Q6016RH4
Q6016NH4
600
35
Q8016LH4
Q8016RH4
Q8016NH4
800
35
QK016LH4
QK016RH4
QK016NH4
1000
35
Q2016LH6
Q2016RH6
Q2016NH6
200
80
Q4016LH6
Q4016RH6
Q4016NH6
400
80
Q6016LH6
Q6016RH6
Q6016NH6
600
80
Q8016LH6
Q8016RH6
Q8016NH6
800
80
QK016LH6
QK016RH6
QK016NH6
1000
80
25 A
Q2025L6
Q2025K6
Q2025J6
Q2025R6
Q2025NH6
200
80
Q4025L6
Q4025K6
Q4025J6
Q4025R6
Q4025NH6
400
80
Q6025L6
Q6025K6
Q6025J6
Q6025R6
Q6025NH6
600
80
Q8025L6
Q8025K6
Q8025J6
Q8025R6
Q8025NH6
800
80
QK025L6
QK025K6
QK025R6
QK025NH6
1000
80
30 A
Q2030LH5
200
50
Q4030LH5
400
50
Q6030LH5
600
50
35 A
Q2035RH5
Q2035NH5
200
50
Q4035RH5
Q4035NH5
400
50
Q6035RH5
Q6035NH5
600
50
40 A
Q2040K7
Q2040J7
200
100
Q4040K7
Q4040J7
400
100
Q6040K7
Q6040J7
600
100
Q8040K7
Q8040J7
800
100
QK040K7
1000
100
MT1
MT2
G
MT1
G
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MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
MT1
G
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PDF描述
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QK006DH4 1000 V, 6 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-252
Q2006NH4 200 V, 6 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB
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参数描述
Q8008VH356 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:8 Amp Sensitive, Standard & Alternistor (High Commutation) Triacs
Q8008VH4 功能描述:双向可控硅 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8008VH4TP 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 8A 35-35-35 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8010L4 功能描述:双向可控硅 800V 10A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
Q8010L5 功能描述:双向可控硅 800V 10A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
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