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参数资料
| 型号： | Q8015R657V |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 800 V, 15 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | Q8015R657V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q6025R653V | 600 V, 25 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q6025R654V | 600 V, 25 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q6025R656V | 600 V, 25 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q6025R657V | 600 V, 25 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
| Q6025R658V | 600 V, 25 A, ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Q8015R9 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|15A I(T)RMS|TO-220 |
| Q8016LH3 | 功能描述:双向可控硅 800V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016LH352 | 功能描述:双向可控硅 Altnstr 800V 16A 20-20-20 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016LH4 | 功能描述:双向可控硅 800V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
| Q8016LH4TP | 功能描述:双向可控硅 800V 16A 35-35-35 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压: 保持电流（Ih 最大值）:45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
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