参数资料
型号: QEB363ZR
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 1/5页
文件大小: 0K
描述: LED IR EMITTING 940NM 2MM ZB T/R
标准包装: 1
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 8mW/sr @ 100ma
波长: 940nm
正向电压: 1.6V
视角: 24°
方向: 顶视图
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,Z形弯曲d
包装: 标准包装
其它名称: QEB363ZRDKR
September 2006
QEB363
Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode
Features
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
■ Narrow Emission Angle, 24°
■ Wavelength = 940nm, GaAs
■ Clear Water Lens
■ Matched Photosensor: QSB363
■ High Radiant Intensity
Package Dimensions
tm
0.276 (7.0)
ANODE
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
.118 (3.0)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
Schematic
.102 (2.6)
0.008 (0.21)
0.055 (1.4)
ANODE
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.024 (0.6)
0.091 (2.3)
Notes:
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ±.010 (.25) on all non nominal dimensions unless otherwise specified.
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
QEB363 Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
D2VW-5L1B-1MS SWITCH BASIC SPDT 5A SEALED
OPF340C LED FIBER OPTIC GAAIAS HS TO-46
2000291 TRANSDUCER W/TEMP 10000# 100MV
2000658 TRANSDUCER W/TEMP 5000# 100MV
TPA511GLFS SWITCH TACT NAV 4DIR W/SELECT
相关代理商/技术参数
参数描述
QEB373 功能描述:红外发射源 T3-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB373.ZR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / T3-4 ALGAAS LED Z BEND T-R
QEB373_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode
QEB373_Q 功能描述:红外发射源 T3-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB373GR 功能描述:红外发射源 Subminiature LED Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk