- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录191659 > QEB363ZR (QT OPTOELECTRONICS) 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm PDF资料下载
参数资料
| 型号： | QEB363ZR |
| 厂商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | QEB363ZR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QEB373.GR | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QSB363.ZR | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| QEC122C4R0 | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QEC122C4A0 | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED234A4A0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QEB373 | 功能描述:红外发射源 T3-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEB373.ZR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / T3-4 ALGAAS LED Z BEND T-R |
| QEB373_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode |
| QEB373_Q | 功能描述:红外发射源 T3-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEB373GR | 功能描述:红外发射源 Subminiature LED Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。