参数资料
型号: QEB373.ZR
厂商: QT OPTOELECTRONICS
元件分类: 红外LED
英文描述: 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
文件页数: 1/1页
文件大小: 41K
代理商: QEB373.ZR
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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QEB421_Q 功能描述:红外发射源 PLCC-2 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB421TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
QEB421TR 功能描述:红外发射源 infrared LED SMD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QEB441 功能描述:LED INFA RED PLCC-2 PKG SMD RoHS:是 类别:光电元件 >> 红外发射极 系列:- 标准包装:1,200 系列:- 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:27mW/sr @ 100mA 波长:940nm 正向电压:1.6V 视角:40° 方向:顶视图 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 包装:带卷 (TR)