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参数资料
| 型号： | QEC123 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 3MM |
| 标准包装： | 250 |
| 系列： | QEC12x |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 39mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 880nm |
| 正向电压： | 1.7V |
| 视角： | 16° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | T-1 |
August 2008
QEC121, QEC122, QEC123
Plastic Infrared Light Emitting Diode
Features PACKAGE DIMENSIONS
■ λ = 880nm
■ Chip material = AlGaAs
■ Package type: T-1 (3mm)
■ Matched photosensor: QSC112/QSC113/QSC114
■ Narrow emission angle, 8° at 80% intensity
■ High output power
■ Package material and color: clear, purple tinted, plastic
Package Dimensions
0.116 (2.95)
REFERENCE
SURFACE
Description
The QEC121, QEC122 and QEC123 are 880nm AlGaAs
LED encapsulated in a clear purple tinted, plastic T-1
package.
0.052 (1.32)
0.193 (4.90)
0.032 (0.082)
0.030 (0.76)
NOM
0.800 (20.3)
MIN
CATHODE
0.050 (1.27)
0.100 (2.54)
NOM
Schematic
0.155 (3.94)
0.018 (0.46)
SQ. (2x)
Notes:
1. Dimensions of all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance is ±0.10 (0.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
QEC121, QEC122, QEC123 Rev. 1.0.1
ANODE
CATHODE
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QEC122 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 3MM |
| D2MC-5E | SWITCH MINI SPDT 5A 5.1GF |
| QEC113 | LED IR EMITTING GAAS 940NM 3MM |
| QEB373GR | LED IR EMITTING 940NM 2MM GW T/R |
| D2MC-5EL | SWITCH MINI SPDT 5A 5.1GF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QEC123_0044D | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:LED IrLED 890nm 2-Pin T-1 Bulk |
| QEC123_Q | 功能描述:红外发射源 T-1 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| Q-EC165320 | 制造商:OK International 功能描述:Power Supply,SW,24VDC/65W,100-240VAC (BTX) |
| Q-EC244210 | 制造商:OK International 功能描述:TRANSFORMER 115/230V-24V, 40VA, PRE-WIRED (UL & CE) |
| Q-EC263210 | 制造商:OK International 功能描述:TRANSFORMER 230/460V-24V, 43VA, PRE-WIRED |
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