| 型号: | QED121.A6A0 |
| 厂商: | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分类: | 红外LED |
| 英文描述: | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 93K |
| 代理商: | QED121.A6A0 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QED222.A4A0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QEC122.C4R0 | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED121.A6R0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED222.A6R0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED222.A6A0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QED122 | 功能描述:红外发射源 T13-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED122_Q | 功能描述:红外发射源 T13-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED122A3R0 | 功能描述:红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED123 | 功能描述:红外发射源 80mW/sr 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED123_Q | 功能描述:红外发射源 80mW/sr 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |