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参数资料
| 型号： | QED123.A4A0 |
| 厂商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | QED123.A4A0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QED221.A6R0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED234.A4R0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| QEC121.C6A0 | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED122.A6A0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| QED123.A6R0 | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QED123A4R0 | 功能描述:红外发射源 infrared Lt Emitting Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED123UL | 功能描述:红外发射源 PlInf LiEmDiode UL217 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED221 | 功能描述:红外发射源 T13-4 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED222 | 功能描述:红外发射源 16mW/sr 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QED222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IR Emitting Diode |
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