参数资料
型号: QED223A4A0
厂商: QT OPTOELECTRONICS
元件分类: 红外LED
英文描述: 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
文件页数: 1/2页
文件大小: 60K
代理商: QED223A4A0
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PDF描述
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参数描述
QED223A4R0 功能描述:红外发射源 T13-4 ALGAAS LED T&R RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
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QED233 功能描述:红外发射源 10mW/sr 1.5V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QED233A4A0 功能描述:红外发射源 T-1 3-4 LED ALGAAS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk
QED233A4R0 功能描述:红外发射源 Infrared EmittIng alGaas RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk