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参数资料
| 型号： | QM200DY-24 |
| 厂商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 大功率开关使用绝缘型 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | QM200DY-24 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM200HA-24 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HC-M | HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
| QM200HA-2H | CAP CER 22UF 10V Y5V 1206 |
| QM20DX-H | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM20TD-HB | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QM200DY24B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-24B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY2H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-2H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY2HB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
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