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参数资料
| 型号： | QM200DY2HB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管电源模块|半桥|达林顿| 1KV交五（巴西）总裁| 200安培我（丙） |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | QM200DY2HB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM200HA24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-HB | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HA-HK | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-24 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HA-24 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QM200DY-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| QM200DY-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HA24 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200HA-24 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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