型号: | QM30DY24 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
中文描述: | 晶体管|晶体管电源模块|半桥|达林顿| 1.2KV五(巴西)总裁| 30A条一(c) |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 224K |
代理商: | QM30DY24 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
QM30E2Y2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
QM30E2Y-H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C) |
QM30E3Y2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
QM30E3Y-H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C) |
QM30E2Y | CAP CER 1000PF 100V X7R 20% 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
QM30DY-24 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
QM30DY-2H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
QM30DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
QM30DY-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM30E2Y | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |