参数资料
型号: QM30E2Y2H
英文描述: TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C)
中文描述: 晶体管|晶体管电源模块|达林顿| 1KV交五(巴西)总裁| 30A条一(c)
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代理商: QM30E2Y2H
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PDF描述
QM30E2Y-H TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C)
QM30E3Y2H TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C)
QM30E3Y-H TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C)
QM30E2Y CAP CER 1000PF 100V X7R 20% 0805
QM30E3Y-2H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相关代理商/技术参数
参数描述
QM30E2Y-2H 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM30E2Y-H 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C)
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