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参数资料
| 型号： | QRE1113 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR REFL 5MM PHOTOTRANS THRU |
| 产品目录绘图： | QRE1113 Series QRE Series Schematic |
| 标准包装： | 160 |
| 检测距离： | 0.197"（5mm） |
| 检测方法： | 反射 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 输出类型： | 光电晶体管 |
| 响应时间： | 20µs，20µs |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 产品目录页面： | 2777 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves
1.0
I F = 10 mA
V CE = 5 V
1.0
0.8
0.6
0.4
T A = 25?C
d 0
0.8
0.6
0.4
Sensing Object:
White Paper (90% reflective)
0.2
Mirror
0.2
0.0
0
1
2 3
d-DISTANCE (mm)
4
5
0.0
0
4
8 12
I F - FORWARD CURRENT (mA)
16
20
2.0
Fig. 1 Normalized Collector Current vs. Distance
between device and reflector
10 2
Fig. 2 Collector Current vs. Forward Current
1.8
1.6
1.4
d = 1 mm, 90% reflection
T A = 25?C
I F = 25mA
10 1
Normalized to:
V CE = 10 V
T A = 25?C
V CE = 10 V
V CE = 5 V
1.2
1.0
0.8
0.6
I F =20mA
I F =15mA
I F =10mA
10 0
10 -1
0.4
I F =5mA
0.2
0.0
0.1
1
10
10 -2
25
40
55
70
85
V CE - COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)
Fig. 3 Normalized Collector Current vs.
Collector to Emitter Voltage
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QRE1113, QRE1113GR Rev. 1.7.1
4
T A - Ambient Temperature (?C)
Fig. 4 Collector Emitter Dark Current (Normalized)
vs. Ambient Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB701ALZ | SNSR OPTO TRANS 5.08MM REFL C-MT |
| OPB700Z | SNSR OPTO TRANS 5.08MM REFL C-MT |
| OPB710 | SNSR OPTO TRANS 6.35MM REFL TO72 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QRE1113.GR | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:REFLECTIVE OBJECT SENSOR |
| QRE1113GR | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| QRE1113GR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Reflective Object Sensor |
| QRE1113GR_Q | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| QRE1113GR-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:QRE1113 Series 30 V 50 mA Miniature Reflective Object Sensor - SMD-4 |
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