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参数资料
| 型号： | QSD124.A4A0 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | QSD124.A4A0 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD124.A4R0 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
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| QSC133.C4R0 | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| QSC133.C6A0 | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSD124A4R0 | 功能描述:光电晶体管 QSD124 T-R RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSD128 | 功能描述:IC PHOTOTRANS IR 880NM BLACK 5MM RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| QSD2030 | 功能描述:光电二极管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSD2030_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030_Q | 功能描述:光电二极管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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