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参数资料
| 型号： | QSE114 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
| 产品目录绘图： | QSE Series Pin Out QS(C,D,E) Circuit |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 50° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 产品目录页面： | 2777 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QSE114QT QSE114QT-ND |
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
Figure 1. Light Current vs. Radiant Intensity
QSE113
QSE114
10 1
Figure 2. Angular Response Curve
V CE = 5V
GaAs Light Source
110
100
90
80
70
140
130
120
60
50
40
10 0
150
160
170
180
30
20
10
0
10 -1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
2
E e - Radiant Intensity (mW/cm )
1
Figure 3. Dark Current vs. Collector - Emitter Voltage
Figure 4. Light Current vs. Collector - Emitter Voltage
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 1
10 0
10 -1
Ie = 1mW/cm 2
Ie = 0.5mW/cm 2
Ie = 0.2mW/cm 2
Ie = 0.1mW/cm 2
Normalized to:
V CE = 5V
Ie = 0.5mW/cm 2
T A = 25 ° C
10 -3
0
5
10
15
20
25
30
10 -2
0.1
1
10
V CE - Collector-Emitter Voltage (V)
Figure 5. Dark Current vs. Ambient Temperature
10 4
Normalized to:
V CE - Collector-Emitter Voltage (V)
10 3
V CE = 25V
T A = 25 ° C
V CE = 25V
V CE = 10V
10 2
10 1
10 0
10 -1
25
50
75
100
T A - Ambient Temperature ( ° C)
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
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5/1/02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 516S6P36 | CABLE STR FEMALE-MALE 6POS 3' |
| Q2-F-RK4-3/8-11-6IN-19 | HEATSHRK KIT RFL 3/8" COLOR 19PC |
| 516P6S36 | CABLE STR MALE-FEMALE 6POS 3' |
| Q2-Z-RK2-3/4-01-6IN-12 | HEATSHRK KIT RFL 3/4" BLK 12 PC |
| QSC114 | IC PHOTOTRANS IR 880NM BLACK 3MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSE114_1 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk |
| QSE114_Q | 功能描述:光电晶体管 1mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE114E3R0 | 功能描述:光电晶体管 1mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE122 | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE122_Q | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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