参数资料
型号: QSE122
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 1/4页
文件大小: 0K
描述: IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK
产品目录绘图: QSE Series Pin Out
QS(C,D,E) Circuit
标准包装: 500
系列: *
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 880nm
视角: 50°
功率 - 最大: 100mW
安装类型: 通孔
方向: 侧视图
封装/外壳: 径向
产品目录页面: 2777 (CN2011-ZH PDF)
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE122
PACKAGE DIMENSIONS
0.175 (4.44)
0.087 (2.22)
0.050 (1.27)
? 0.065 (1.65)
0.200 (5.08)
? 0.095 (2.41)
0.500 (12.70)
MIN
EMITTER
COLLECTOR
0.020 (0.51) SQ.
(2X)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
0.100 (2.54)
NOM
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions unless
otherwise speci ? ed.
SCHEMATIC
Collector
Emitter
DESCRIPTION
The QSE122 is a silicon phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent, black plastic sidelooker package.
FEATURES
?
?
?
?
?
?
?
NPN silicon phototransistor
Package type: Sidelooker
Medium wide reception angle, 50°
Package material and color: black epoxy
Matched emitter: QEE113
Daylight ?lter
High sensitivity
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述
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