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参数资料
| 型号： | QSE214C |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | QSE214C |
2
www.fairchildsemi.com
QSE213C/QSE214C Rev. 1.0.0
QSE213C/QSE214C
Plastic
Silicon
Infrared
Phototransistor
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise specied)
Electrical/Optical Characteristics (TA =25°C unless otherwise specied)
Notes:
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/°C above 25°C.
2. RMA ux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6 mm) minimum from housing.
5.
λ = 950 nm GaAs.
Symbol
Parameter
Rating
Unit
TOPR
Operating Temperature
-40 to +100
°C
TSTG
Storage Temperature
-40 to +100
°C
TSOL-I
Soldering Temperature (Iron)(2,3,4)
240 for 5 sec
°C
TSOL-F
Soldering Temperature (Flow)(2,3)
260 for 10 sec
°C
VCE
Collector-Emitter Voltage
30
V
VEC
Emitter-Collector Voltage
5
V
PD
Power Dissipation(1)
100
mW
Symbol Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
λPS
Peak Sensitivity
—
880
—
nM
Q
Reception Angle
—
±25
—
°
ID
Collector Emitter Dark Current
VCE = 10 V, Ee = 0
—
100
nA
BVCEO Collector Emitter Breakdown
IC = 1mA
30
—
V
BVECO Emitter Collector Breakdown
IE = 100A
5
—
V
IC(ON)
On-State Collector Current
Ee = 0.5 mW/cm
2,
VCE = 5V
(QSE213C)
0.2
—
1.50
mA
(QSE214C)
1.00
—
VCE(SAT) Saturation Voltage
VCE = 5 V
(5), E
e = 0.5mW/cm
2,
IC = 0.1mA
(5)
——
0.4
V
tr
Rise Time
VCC = 5V, RL = 100, IC = 1mA
—
8
—
s
tf
Fall Time
—
8
—
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