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参数资料
| 型号： | R1LP0408CSP-7LC |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 4M SRAM (512-kword 】 8-bit) |
| 中文描述： | 4分的SRAM（512 - KWord的】8位） |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | R1LP0408CSP-7LC |
R1LP0408C-C Series
Rev.2.00, May.26.2004, page 5 of 12
Operation Table
WE#
CS#
OE#
Mode
VCC current
I/O0 to I/O7
Ref. cycle
×
H
×
Not selected
ISB, ISB1
High-Z
H
L
H
Output disable
ICC
High-Z
H
L
Read
ICC
Dout
Read cycle
L
H
Write
ICC
Din
Write cycle (1)
L
Write
ICC
Din
Write cycle (2)
Note:
H: VIH, L: VIL,
×: VIH or VIL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Power supply voltage relative to VSS
VCC
0.5 to +7.0
V
Terminal voltage on any pin relative to VSS
VT
0.5*
1 to V
CC + 0.3*
2
V
Power dissipation
PT
0.7
W
Operating temperature
Topr
20 to +70
°C
Storage temperature range
Tstg
65 to +150
°C
Storage temperature range under bias
Tbias
20 to +85
°C
Notes: 1. VT min:
3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns.
2. Maximum voltage is +7.0 V.
DC Operating Conditions
(Ta =
20 to +70°C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
VCC
4.5
5.0
5.5
V
VSS
0
V
Input high voltage
VIH
2.2
VCC + 0.3
V
Input low voltage
VIL
0.3*
1
0.8
V
Note:
1. VIL min:
3.0 V for pulse half-width ≤ 30 ns.
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PDF描述 |
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| R1LP0408CSP-7LCBT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Memory,Low-pwr SRAM,4M bit,x8, |
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